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                              正性光刻膠與負性光刻膠
                              來源: | 作者:goodprecise | 發布時間: 2020-02-25 | 2782 次瀏覽 | 分享到:

                              光刻膠(photoresist),亦稱為光阻或光阻劑,是指通過紫外光、深紫外光、電子束、離子束、X射線等光照或輻射,其溶解度發生變化的耐蝕刻薄膜材料,是光刻工藝中的關鍵材料,主要應用于集成電路和半導體分立器件的細微圖形加工。

                                      光刻膠根據在顯影過程中曝光區域的去除或保留可分為兩種-正性光刻膠(positive photoresist)和負性光刻膠(negative photoresist)。

                                      正性光刻膠之曝光部分發生光化學反應會溶于顯影液,而未曝光部份不溶于顯影液,仍然保留在襯底上,將與掩膜上相同的圖形復制到襯底上。


                              正性光刻膠曝光顯影前后膠層的變化


                                負性光刻膠之曝光部分因交聯固化而不溶于阻顯影液,而未曝光部分溶于顯影液,將與掩膜上相反的圖形復制到襯底上。


                              負性光刻膠曝光顯影前后膠層的變化




                              深圳譜瑞賽思商貿有限公司


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